Samsung начала массовое производство памяти HBM4 для ИИ-чипов
Samsung Electronics объявила о начале глобального массового производства памяти шестого поколения HBM4, стремясь вернуть лидерство в сегменте ИИ-ускорителей. Новинка обеспечивает беспрецедентный рост производительности и энергоэффективности, решая проблему узких мест в вычислениях следующего поколения.
Компания Samsung Electronics использует для HBM4 передовой 10-нм DRAM шестого поколения класса 1α и логический базовый кристалл, изготовленный по 4-нм техпроцессу. Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с на контакт с возможностью увеличения до 13 Гбит/с, что на 46% выше показателей предыдущего поколения. Пропускная способность одного стека составляет до 3,3 ТБ/с.
По данным компании, новое решение обеспечивает снижение энергопотребления на 40% и улучшение рассеивания тепла на 30%.
Массовое производство HBM4, начатое 12 февраля 2026 года, является попыткой Samsung потеснить SK Hynix, которая, по данным аналитиков, удерживает около 57–60% рынка памяти HBM. Samsung успешно прошла квалификационные тесты NVIDIA и AMD, начав поставки для новых ИИ-ускорителей.
В компании прогнозируют, что выручка от продаж HBM в 2026 году вырастет втрое по сравнению с 2025 годом. Для расширения производства Samsung планирует запустить новую линию в Пхёнчхане к 2028 году.
Samsung начала поставки HBM4 для использования в архитектуре следующего поколения NVIDIA Vera Rubin, анонс которой ожидается в марте 2026 года. На старте предлагаются 12-слойные стеки базовой емкостью от 24 до 36 ГБ с возможностью расширения до 48 ГБ.
Компания также ведёт разработку Custom HBM — персонализированных решений под конкретных заказчиков, выпуск которых намечен на 2027 год.
Параллельно с массовым производством HBM4 Samsung ведёт разработку следующих поколений памяти. Поставки образцов HBM4E запланированы на вторую половину 2026 года.
Компания также начала разработку HBM5 с целью выпуска образцов во второй половине 2026 года. Стратегическое значение для производительности имеет использование 4-нм логического базового кристалла.
